Mục tiêu phun phủ Silic (Si)

Silic đa tinh thể, còn được gọi là poly-silicon hoặc poly-Si, là một dạng silic đa tinh thể có độ tinh khiết cao, được ngành công nghiệp quang điện mặt trời và điện tử sử dụng làm nguyên liệu thô. Silic đa tinh thể được sản xuất từ ​​silic cấp luyện kim bằng quy trình tinh chế hóa học, được gọi là quy trình Siemens. Quy trình này bao gồm chưng cất các hợp chất silic dễ bay hơi và phân hủy chúng thành silic ở nhiệt độ cao. Một quy trình tinh chế thay thế mới nổi sử dụng lò phản ứng tầng sôi.

Ngành công nghiệp quang điện cũng sản xuất silicon cấp luyện kim nâng cấp (UMG-Si), sử dụng quy trình luyện kim thay vì quy trình tinh chế hóa học. Khi sản xuất cho ngành công nghiệp điện tử, poly-silicon chứa mức tạp chất dưới một phần tỷ (ppb), trong khi silicon cấp năng lượng mặt trời đa tinh thể (SoG-Si) thường ít tinh khiết hơn.

Nguyên liệu poly-silicon – thanh lớn, thường được chia thành các khối có kích thước cụ thể và đóng gói trong phòng sạch trước khi vận chuyển – được đúc trực tiếp thành thỏi đa tinh thể hoặc trải qua quá trình kết tinh lại để tạo thành các khối tinh thể đơn. Sau đó, sản phẩm được cắt thành các tấm wafer silicon mỏng và được sử dụng để sản xuất pin mặt trời, mạch tích hợp và các thiết bị bán dẫn khác.

Mục tiêu phun phủ silicon, là một vật liệu chức năng rất quan trọng, chủ yếu được sử dụng để lắng đọng SiO2, Si3N4 và các lớp điện môi khác bằng quy trình phun phủ từ tính. Những màng mỏng này có đặc điểm là độ cứng, tính chất quang học, điện môi, khả năng chống mài mòn và ăn mòn tuyệt vời, được ứng dụng rộng rãi trong lĩnh vực kính dẫn điện trong suốt LCD, kính xây dựng LOW-E và vi điện tử.

Mục tiêu quay / phẳng SiAl

Mục tiêu phun SiO2

Mục tiêu phun SiC

Mục tiêu phun Si3N4

Chú phổ biến: mục tiêu phun silicon (si), nhà cung cấp mục tiêu phun silicon (si) Trung Quốc, nhà máy