Mục tiêu phun phủ Silic Nitride (Si3N4)

Mục tiêu phun phủ silicon nitride là một loại mục tiêu phun phủ gốm nitride. Si3N4 là vật liệu gốm có điểm nóng chảy cao, cực kỳ cứng và tương đối trơ về mặt hóa học. Si3N4 được chế tạo bằng cách nung bột silicon ở nhiệt độ từ 1300 độ đến 1400 độ trong bầu khí quyển nitơ. Sau đó, bột silicon nitride có thể được thiêu kết thành hình dạng thiết kế. Mục tiêu phun phủ silicon nitride được sử dụng để lắng đọng màng mỏng.

Chú phổ biến: mục tiêu phun silicon nitride (si3n4), nhà cung cấp mục tiêu phun silicon nitride (si3n4) của Trung Quốc, nhà máy